产品名称：BW-3022A 晶体管参数测试仪
品牌：博微电通
名称：分立器件测试仪/半导体静态参数测试仪/晶体管参数测试仪
型号：BW-3022A
用途：针对二极管、三极管、MOSFET、JFET、三端稳压器IC、基准器TL431、双向可控硅等提供15种最主要参数的测试，及测试参数”合格/不合格”(OK/NO)判断测试。
产品电气参数
物理规格
主机尺寸：深 305*宽 280*高 120(mm)
主机重量：＜4.5Kg
主机颜色：白色系
电气环境
主机功耗：＜75W
环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；
相对湿度：≯85%；
大气压力：86Kpa～106Kpa；
防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；
电网要求：AC220V±10%、50Hz±1Hz；
工作时间：连续；
产品特点
大屏幕液晶,中文操作界面,显示直观简洁,操作方面简单。
大容量EEPROM存储器,储存量可多达2000种设置型号数。
全部可编程的DUT恒流源和电压源。
内置继电器矩阵自动连接所需的测试电路,电压/电流源和测试回路。
高压测试电流分辨率1uA,测试电压最高可达1500V。
重复”回路”式测试解决了元件发热和间歇的问题。
软件自校准功能。
自动测试测DUT短路、开路或误接现象,如果发现,就立即停止测试。
DUT的功能检测通过LCD显示出被测器件/DUT的类型，显示测试结果是否合格,并有声光提示。
整流二极管测试能自动识别引脚功能,并自动转换矩阵开关进行参数测试.显示对应引脚功能号。
两种工作模式：手动、自动测试模式。
BW-3022A测试技术指标
1、 整流二极管,三端肖特基:
1.1 耐压(VRR)测试指标
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
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0-1600V |
2V |
+/-2% |
0-2.000mA |
1.2导通正向压降(VF)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
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0-2.000V |
2mV |
+/-2% |
0-2.000A |
2 、N型三极管
2.1 输入正向压降(Vbe)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-2.000V |
2mV |
+/-2% |
0-2.000A |
2.2 耐压(Bvceo)测试指标
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-1600V |
2V |
+/-5% |
0-2.000mA |
2.3 直流放大倍数(HEF)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-12000 |
1 |
+/-2% |
0-2.000A(Ic) 0-20V(Vce) |
2.4 输出饱和导通压降(Vsat)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-2.000V |
2mV |
+/-2% |
0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic) |
3、P型三极管
3.1 输入正向压降(Vbe)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-2.000V |
2mV |
+/-2% |
0-2.000A |
3.2 耐压(Bvceo)测试指标
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-1600V |
2V |
+/-5% |
0-2mA |
3.3 直流放大倍数(HEF)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-3000 |
1 |
+/-2% |
100uA(Ib) 5V(Vce)固定 |
3.4 输出饱和导通压降(Vsat)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-2V |
2mV |
+/-2% |
0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic) |
4、N,P型MOS场效应管
4.1输入启动电压(VGS(th))
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-20.00V |
20mV |
+/-2% |
0-2.000mA |
4.2耐压(Bvds)测试指标
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-1500V |
2V |
+/-5% |
0-2mA |
4.3导通内阻(Rson)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-9999MR |
0.1MR |
+/-5% |
0-20.00V(VGS) |
|
10R-100R |
0.1R |
+/-5% |
0-20.00V(VGS) |
5、三端稳压IC
5.1 输出电压(Vo)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-20.00V |
20mV |
+/-2% |
0-20.00V(VI) 0-1.000A(IO) |
6、基准IC 431
6.1输出电压(Vo)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-20.00V |
20mV |
+/-2% |
0-1A(Iz) |
7、结型场效应管
7.1漏极饱和电流(Idss)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-40mA |
40uA |
+/-2% |
0V(VGS) 0-20V(VDS) |
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40-400mA |
400uA |
+/-2% |
0V(VGS) 0-20V(VDS) |
7.2耐压(Bvds)测试指标
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-1600V |
2V |
+/-5% |
0-2mA |
7.3夹断电压(Vgs(off))
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-20.00V |
0.2V |
+/-5% |
0-20V(VDS) 0-2mA(ID) |
7.4共源正向跨导(gm)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-99mMHO |
1mMHO |
+/-5% |
0V(VGS) 0-20V(VDS) |
8、双向可控硅
8.1导通触发电流(IGT)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
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0-40.00mA |
10uA |
+/-2% |
0-20.00V(VD) IT(0-2.000A) |
8.2导通触发电压(VGT)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-2.000V |
2mv |
+/-2% |
0-20.00V(VD) IT(0-2.000A) |
8.3耐压(VDRM/VRRM)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
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0-1500V |
2V |
+/-5% |
0-2.000mA |
8.4通态压降(VTM)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
|
0-2.000V |
2mV |
+/-2% |
0-2.000A(IT) |
8.5保持电流(IH)
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测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
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0-400mA |
0.2mA |
+/-5% |
0-400Ma(IT) |
