产品名称:BW-4022C 半导体综合测试系统
品 牌:博微
型 号:BW-4022C
用 途:可同时对晶振、二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂电池进行综合参数测试。
BW-4022C 半导体综合测试系统是针对于半导体器件开发专用测试的系统,经我公司产品升级与开发,目前亦可以对二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种器件进行参数测试,性能、精度、测试范围均满足客户测试需求,可用于客户端来料检验、研发分析、 产品选型等重要检测设备之一。
BW-4022C 半导体综合测试系统采用大规模 32 位 ARM&MCU 设计, PC 中文操作界面,程控软件基于 Lab VIEW 平台, 填充调用式菜单操作界面,测试界面简洁 灵活、人机界面友好。配合开尔文综合集成测试插座,根据不同器件更换测试座配合,系统可适配设置完成对二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种元件的静态参数测试。
该测试系统主要由测试主机和程控电脑及外部测试夹具三部分组成,并接受客户端MES系统进行测试指令:方案选取/开始/暂停/停止/数据上传等操作执行,并可将测试数据上传至MES系统由客户端处理。
可针对甲方要求的晶振、二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池5种器件类型测试,设备内部各通部有防护器件,可防止接线错误带来的设备损坏,有相应人身保护措施,接受客户端MES系统测试指令:方案选取/开始/暂停/停止/数据上传等操作指令,MES端调用预先配置好的测试文件,并可将测试数据上传至MES系统由客户端处理,本地数据同步保存。
物理规格
主机尺寸:深 660*宽 430*高 210(mm) 台式
主机重量:<25kg
产品色系:白色系
工况环境
主机功耗:<300W
海拔高度:海拔不超过 1500m;
环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);
相对湿度: 20%RH~75%RH (无凝露,湿球温度计温度 45℃以下);
大气压力:86Kpa~106Kpa;
防护条件:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等;
供电要求
电源配置:AC220V±10%、50Hz±1Hz;
工作时间:连续;
· 正向电压(Forward Voltage):
· 符号:Vf
· 最小值:无
· 典型值:1.2 V
· 最大值:1.4 V
· 单位:V
· 测试条件:If=20mA
· 反向电流(Reverse Current):
· 符号:Ir
· 最小值:无
· 典型值:无
· 最大值:10 μA
· 单位:μA
· 测试条件:Vr=4V
· 集电极暗电流(Collector Dark Current):
· 符号:Iceo
· 最小值:无
· 典型值:无
· 最大值:100 nA
· 单位:nA
· 测试条件:Vce-20V,If=0
· 集电极 - 发射极击穿电压(Collector-Emitter Breakdown Voltage):
· 符号:BVceo
· 最小值:80 V
· 典型值:无
· 最大值:无
· 单位:V
· 测试条件:Ic-0.1mA,If=0
· 发射极 - 集电极击穿电压(Emitter-Collector Breakdown Voltage):
· 符号:BVeco
· 最小值:6 V
· 典型值:无
· 最大值:无
· 单位:V
· 测试条件:Ie-10μA,,If=0
· 集电极电流(Collector Current):
· 符号:Ic
· 最小值:2.5 mA
· 典型值:无
· 最大值:30 mA
· 单位:mA
· 测试条件:If=5mA,Vce-5V
· 电流传输比(Current Transfer Ratio):
· 符号:CTR
· 最小值:50 %
· 典型值:无
· 最大值:600 %
· 单位:%
· 测试条件:If=5mA,Vce-5V
· 集电极 - 发射极饱和电压(Collector-Emitter Saturation Voltage):
· 符号:Vce
· 最小值:无
· 典型值:0.1 V
· 最大值:0.2 V
· 单位:V
· 测试条件:If=20mA,Ic-1mA
· 隔离电阻(Isolation Resistance):
· 符号:Riso
· 最小值: Ω
· 典型值: Ω
· 最大值:无
· 单位:Ω
· 测试条件:DC500V, 40 - 60% R.H.
(以上参数基于晶体管LTV-816-Cu series特性参数)
· 三极管管型光耦
测试参数 |
符号 |
量程 |
测试范围 |
测试条件 |
测量精度 |
输入正向导通压降 |
Vf1 |
0-10V |
+-10V |
0-4A |
1%+FullRange0.1%+-2mV |
反向击穿电压(耐压) |
Bvceo1 Bveco1 |
1 |
+-1V |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-1mV |
2 |
+-10V |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-2mV |
||
3 |
+-100V |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-20mV |
||
4 |
+-1000V |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-200mV |
||
5 |
+-2000V |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-2V |
||
反向漏电流 |
Iceo1 Ir1 |
1 |
+-100nA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-7nA |
2 |
+-1uA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-10nA |
||
3 |
+-10uA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-10nA |
||
4 |
+-100uA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-30nA |
||
5 |
+-1mA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-300nA |
||
6 |
+-10mA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-3uA |
||
7 |
+-100mA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-30uA |
||
输出导通压降 |
Vce(sat)1 |
0-10V |
+-10V |
|
1%+FullRange0.1%+-2mV |
输入输出电流传输比 |
|
2 |
600 |
|
1%+FullRange0.5%+-5 |
3 |
6000 |
|
1%+FullRange0.5%+-10 |
||
4 |
60000 |
|
1%+FullRange0.5%+-20 |
||
|
|
|
|
|
|
· 可控硅光耦
测试参数 |
符号 |
量程 |
测试范围 |
测试条件 |
测量精度 |
输入正向导通压降 |
Vf1 |
0-10V |
+-10V |
0-4A |
1%+FullRange0.1%+-2mV |
反向击穿电压(耐压) 输入触发电流 |
Vdrm vrrm ift |
1 |
+-1V |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-1mV |
2 |
+-10V |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-2mV |
||
3 |
+-100V |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-20mV |
||
4 |
+-1000V |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-200mV |
||
5 |
+-2000V |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-2V |
||
反向漏电流
|
irrm idrm ir1
|
1 |
+-100nA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-7nA |
2 |
+-1uA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-10nA |
||
3 |
+-10uA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-10nA |
||
4 |
+-100uA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-30nA |
||
5 |
+-1mA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-300nA |
||
6 |
+-10mA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-3uA |
||
7 |
+-100mA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-30uA |
||
|
|
|
|
|
1%+FullRange0.1%+-2mV |
输入LED正向压降 输出导通压降
|
Vf1 vtm |
0-10V |
+-10V |
|
1%+FullRange0.5%+-5 |
0-10V |
+-10V |
|
1%+FullRange0.5%+-10 |
||
0-400ma |
|
|
1%+FullRange0.5%+-20 |
||
|
vih |
|
|
|
|
|
ih |
|
|
|
|
|
IL |
|
|
|
|
|
C_vtm
|
|
|
|
|
· 继电器光耦
测试参数 |
符号 |
量程 |
测试范围 |
测试条件 |
测量精度 |
输入正向导通压降 |
Vf1 |
0-10V |
+-10V |
0-4A |
1%+FullRange0.1%+-2mV |
反向击穿电压(耐压) |
VL1 VL2
|
1 |
+-1V |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-1mV |
2 |
+-10V |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-2mV |
||
3 |
+-100V |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-20mV |
||
4 |
+-1000V |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-200mV |
||
5 |
+-2000V |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-2V |
||
反向漏电流 |
Ir1 Ir2 |
1 |
+-100nA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-7nA |
2 |
+-1uA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-10nA |
||
3 |
+-10uA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-10nA |
||
4 |
+-100uA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-30nA |
||
5 |
+-1mA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-300nA |
||
6 |
+-10mA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-3uA |
||
7 |
+-100mA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-30uA |
||
输出导通内阻 |
ROn1 ROn2 |
0-10V |
+-10V |
0-40A |
1%+FullRange0.1%+-2mV |
输入输出电流传输比 |
|
2 |
600 |
|
1%+FullRange0.5%+-5 |
3 |
6000 |
|
1%+FullRange0.5%+-10 |
||
4 |
60000 |
|
1%+FullRange0.5%+-20 |
||
|
|
|
|
|
|
· 二极管类:二极管
· Diode
· Kelvin ,Vrrm ,Irrm ,Vf ,△Vf ,△Vrrm ,Tr(选配);
二极管类:稳压二极管
· ZD(Zener Diode)
· Kelvin ,Vz ,lr ,Vf ,△Vf ,△Vz ;
二极管类:稳压二极管
· ZD(Zener Diode)
· Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz;
二极管类:三端肖特基二极管 SBD(SchottkyBarrierDiode)
· Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm;
二极管类: 瞬态二极管
· TVS
· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm ;
二极管类:整流桥堆
· Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm;
二极管类:三相整流桥堆
· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm;
测试参数 |
符号 |
量程 |
测试范围 |
测试条件 |
测量精度 |
正向导通压降 |
VF1 VF2 VF3 VF4 VF5 VF6 |
0-10V |
+-10V |
0-40A(选配) 0-100A(标配) 0-200A(选配) 0-300A(选配) |
0.5%+FullRange0.1%+-2mV |
反向击穿电压(耐压) |
Vrrm1 Vrrrm2 Vrrrm3 Vrrm4 Vrrm5 Vrrm6 |
1 |
+-1V |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-1mV |
2 |
+-10V |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-2mV |
||
3 |
+-100V |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-20mV |
||
4 |
+-1000V |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-200mV |
||
5 |
+-2000V |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-2V |
||
反向漏电流 |
Irrm1 Irrm2 Irrm3 Irrm4 Irrm5 Irrm6 |
1 |
+-100nA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-5nA |
2 |
+-1uA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-10nA |
||
3 |
+-10uA |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-10nA |
||
4 |
+-100uA |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-30nA |
||
5 |
+-1mA |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-300nA |
||
6 |
+-10mA |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-3uA |
||
7 |
+-100mA |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-30uA |
· Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm 、 △Vr ;(参数配置精度与二极管一致)
测试参数 |
符号 |
量程 |
测试范围 |
测试条件 |
测量精度 |
正向导通压降 |
VF1 VF2 VF3 VF4 VF5 VF6 |
0-10V |
+-10V |
0-40A(选配) 0-100A(标配) 0-200A(选配) 0-300A(选配) |
0.5%+FullRange0.1%+-2mV |
压敏电压(1mA) |
Vrrm1 Vrrrm2 Vrrrm3 Vrrm4 Vrrm5 Vrrm6 |
1 |
+-1V |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-1mV |
2 |
+-10V |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-2mV |
||
3 |
+-100V |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-20mV |
||
4 |
+-1000V |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-200mV |
||
5 |
+-2000V |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-2V |
||
反向漏电流 |
Irrm1 Irrm2 Irrm3 Irrm4 Irrm5 Irrm6 |
1 |
+-100nA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-5nA |
2 |
+-1uA |
0-2000V |
1%+FullRange0.1%+-10nA |
||
3 |
+-10uA |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-10nA |
||
4 |
+-100uA |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-30nA |
||
5 |
+-1mA |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-300nA |
||
6 |
+-10mA |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-3uA |
||
7 |
+-100mA |
0-2000V |
0.5%+FullRange0.1%+-30uA |
· Kelvin(0~150mV)
· 电池空载电压(Vbt) 0-100V +-0.2%
· 负载电压(Vbt_load ) 0-100V +-0.5% 测试电流(0-10A 恒流 )
· 负载电压变化值(▲Vbt_load)0-10v +-5% 测试电流(0-10A 恒流 )
· 电池内阻(Vbt Res) 0-10v +-5% 测试电流(0-10A 脉冲 )
· 震荡频率(Freq_osc )
· 谐振电阻(Ri)
· 频率精度(Freq_ppm)
· 测试频率范围(10kHz~10MHz)
测试参数 |
符号 |
量程 |
测试范围 |
测试条件 |
测量精度 |
震荡频率 |
Fosc |
10kHz~100kHz 100kHz~1MHz 1MHz~5MHz 5MHz~10MHz |
10kHz~10MHz |
|
0.1Hz |
谐振电阻 |
Rz |
0~100K |
|
|
±10% |
频率精度 |
ppm |
|
0-1000 |
|
0.01% |
量程 |
分辨率 |
精度 |
±40V |
19.5mV |
± 1%设定值+FullRange0.1%± 19.5mV |
±20V |
10mV |
±1% 设定值+FullRange0.1%±10mV |
±10V |
5mV |
±1% 设定值+FullRange0.1%±5mV |
±5V |
2mV |
±1% 设定值+FullRange0.1%±2mV |
±2V |
1mV |
±1% 设定值+FullRange0.1%±2mV |
量程 |
分辨率 |
精度 |
±100A |
195mA |
±2% 设定值+FullRange0.1%±100mA |
±40A |
19.5mA |
±2% 设定值+FullRange0.1%±30mA |
±4A |
1.95mA |
±1% 设定值+FullRange0.1%±2mA |
±400mA |
119.5uA |
±1% 设定值+FullRange0.1%±200uA |
±40mA |
11.95uA |
±1% 设定值+FullRange0.1%±20uA |
±4mA |
195nA |
±1% 设定值+FullRange0.1%±200nA |
±400uA |
19.5nA |
±1% 设定值+FullRange0.1%±20nA |
±40uA |
1.95nA |
±2% 设定值+FullRange0.1%±2nA |
说明:电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出,脉宽范围:300us-1000us可调
量程 |
分辨率 |
精度 |
±100A |
12.2mA |
±5% 读数值+FullRange0.2%±100mA |
±40A |
1.22mA |
±1% 读数值+FullRange0.1%±20mA |
±4A |
122uA |
±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2mA |
±400mA |
12.2uA |
±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200uA |
±40mA |
1.22uA |
±0.5% 读数值+FullRange0.1%±20uA |
±4mA |
122nA |
±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2uA |
±400uA |
12.2nA |
±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200nA |
±40uA |
1.22nA |
±1% 读数值+FullRange0.1%±20nA |
量程 |
分辨率 |
精度 |
±40V |
1.22mV |
±1% 读数值+FullRange0.1%±20mV |
±20V |
122uV |
±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2mV |
±10V |
12.2uV |
±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200uV |
±5V |
1.22uV |
±0.5% 读数值+FullRange0.1%±20uV |
2. 数据采集部分 VM (16位ADC,100K/S采样速率)
量程 |
分辨率 |
精度 |
±2000V |
1.22mV |
±1% 读数值+FullRange0.1%±20mV |
±100V |
122uV |
±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2mV |
±10V |
12.2uV |
±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200uV |
±1V |
1.22uV |
±0.5% 读数值+FullRange0.1%±20uV |
量程 |
分辨率 |
精度 |
±100mA |
30uA |
±1% 读数值+FullRange0.1%±30uA |
±10mA |
3uA |
±1% 读数值+FullRange0.1%±3uA |
±1mA |
300nA |
±1% 读数值+FullRange0.1%±300nA |
±100uA |
30nA |
±1% 读数值+FullRange0.1%±30nA |
±10uA |
3nA |
±1% 读数值+FullRange0.1%±10nA |
±1uA |
300pA |
±1% 读数值+FullRange0.1%±10nA |
±100nA |
30pA |
±1% 读数值+FullRange0.1%±5nA |
3. 高压源 HVS(基本)16位DAC
量程 |
分辨率 |
精度 |
2000V/10mA |
30.5mV |
±0.5% 设定值+FullRange0.1%±500mV |
200V/10mA |
30.5mV |
±0.5% 设定值+FullRange0.1%±500mV |
40V/50mA |
30.5mV |
±0.5% 设定值+FullRange0.1%±500mV |
|
|
|
量程 |
分辨率 |
精度 |
10mA |
4.88uA |
±2% 设定值+FullRange0.1%±10uA |
2mA |
488nA |
±1% 设定值+FullRange0.1%±2uA |
200uA |
48.8nA |
±1% 设定值+FullRange0.1%±200nA |
20uA |
4.88nA |
±1% 设定值+FullRange0.1%±20nA |
2uA |
488pA |
±2% 设定值+FullRange0.1%±10nA |